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        壓敏電阻交流作用下的老化機理

        交流作用下。在正半周時,假設右側為正極性,電壓主要加在右側的耗盡層上,使右側的Zni向晶界遷移,而左側所加電壓很低,Zn

        i向晶粒內遷移不大;在負半周,電壓主要加在左側,使左側Zni向晶界遷移,右側這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

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        壓敏電壓和電阻器厚度的關系:

        對ZnO壓敏電阻器,加在每晶界上的電壓約為3.5V,所以當晶粒大小一定時,壓敏電阻器越厚,壓敏電壓越高,關系如下:

        U=UgbNgt , E0.5=U/t

        由于壓敏電阻型號太多,篇幅有限,恕不一一呈現,欲知詳請,歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系,謝謝!



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